Hôm thứ 5, Samsung Electronics thông báo rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các mô-đun đầu tiên của bộ nhớ “Through Silicon Via” (TSV) 128GB DDR4. Mục tiêu chủ yếu dành cho các máy chủ doanh nghiệp và các trung tâm dữ liệu, với công suất lớn nhất và hiệu quả năng lượng cao nhất so với bất kỳ mô-đun DRAM nào hiện nay.
Năm 2014, Samsung đã giới thiệu DRAM 3D TSV DDR4 (64GB) đầu tiên trên thế giới và khẳng định bộ nhớ mới này là một bước đột phá về công suất cũng như hiệu năng cung cấp giải pháp hấp dẫn cho các khách hàng doanh nghiệp.
Mỗi thanh RAM TSV 128GB có tổng cộng 144 con chip DDR4 xếp thành 36 cụm 4GB, mỗi cụm có 4 chip 20nm dung lượng 8GB được lắp ráp bằng công nghệ TSV của Samsung nhằm tối ưu hóa hiệu suất mô-đun và điện năng tiêu thụ. TSV DDR4 RDIMM cung cấp một giải pháp tiết kiệm năng lượng cho các máy chủ thế hệ kế tiếp với tốc độ lên đến 2,400Mbps, đạt gần gấp đôi hiệu suất DRAM 64Gb trước đó trong khi tiết kiệm 50% năng lượng.
Trong công nghệ TSV, các lớp bán dẫn nằm chồng lên nhau để tăng mật độ lưu trữ, cho phép tăng đáng kể hiệu suất trong truyền dẫn tín hiệu. Công nghệ này sẽ tiếp tục được Samsung phát triển mạnh nhằm đưa ra các mô-đun mới với tốc độ truyền dữ liệu lên đến 2,667Mbps và 3,200Mbps, tạo điều kiện cho doanh nghiệp nâng cao hiệu suất máy chủ. Samsung cũng dự định sẽ mang công nghệ TSV vào bộ nhớ băng thông cao (HBM) và các sản phẩm tiêu dùng.
Theo Techcrom
